LED外延片、LED芯片及LED外延片的制备方法

本发明提供了一种LED外延片、LED芯片及LED外延片的制备方法，属于发光二极管技术领域，LED外延片包括衬底、外延层，外延层包括依次堆叠设置的n型窗口层、n型半导体层、有源层、p型半导体层、p型窗口层，p型窗口层包括周期性分布的超晶格单元，超晶格单元包括依次堆叠设置的AlxIn1‑xP子层、GaxIn1‑xP子层和GaP子层，其中，同一超晶格单元中的三个子层的禁带宽度和掺杂浓度均不同，同一超晶格单元中的GaxIn1‑xP子层的掺杂浓度高于其余两个子层的掺杂浓度，超晶格单元中的相同子层的掺杂浓度沿堆叠方向逐渐增大。本发明在p型窗口层引入超晶格结构，可以提高电流注入效率，降低吸光程度。