集成芯片及其形成方法

本申请的各个实施例针对包括半导体衬底上方的下部介电结构的集成芯片(IC)。栅极结构位于下部介电结构上方。栅极结构包括与第二表面相对的第一表面。第一半导体层布置在栅极结构的第一表面和下部介电结构之间。第二半导体层位于栅极结构的第二表面上方。本申请的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。