半导体器件及其制造方法

本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。制造半导体器件的方法包括：形成密封体的步骤；以及向密封体的覆盖多个引线中的每个引线的部的区域照射激光的步骤。引线框架LF的多个引线中的每个引线包括第一部分和第二部分，第一部分具有第一上表面以及与第一上表面相对的第一下表面，第二部分具有比第一部分的厚度小的厚度。第二部分具有第二上表面、以及与第二上表面相对的第二下表面。在照射激光的步骤中，第二下表面通过利用激光选择性地照射区域从密封体被暴露。