在有IC器件的硅片上制造纳米硅通孔的方法和封装结构

本申请提供一种在有IC器件的硅片上制造纳米硅通孔的方法和封装结构，涉及半导体技术领域，该方法包括：获取第一硅片，第一硅片的第一表面上通过执行IC工艺，设有IC器件，形成IC器件层；在IC器件层的表面制备金属pad；利用介质层材料在IC器件层上沉积生长介质层；在生长介质层中制备第一通孔，第一通孔位于金属pad上方，与金属pad的上表面连接；在生长介质层的表面上制备第一金属层；在第一硅片的第二表面上制备，穿过第一硅片、IC器件层的第二通孔，第二通孔的位于金属pad的下方，与金属pad的下表面连接；在第二表面上制备第二金属层，得到硅通孔结构。