一种工艺窗口确定方法和相关装置

本申请提供了一种工艺窗口确定方法和相关装置，建立带有空气层的表面等离子体光刻结构对应的表面等离子体光刻模型，通过表面等离子体光刻模型进行仿真，确定光刻后的光刻胶图形，以及光刻胶图形的线宽；调整表面等离子体光刻模型中的曝光能量，以及空气层的厚度，重复执行上述步骤，得到多个曝光能量、空气层的厚度和光刻胶图形的线宽之间的对应关系；基于对应关系以及光刻胶图形与掩模层的允许误差范围，确定掩模层对应的工艺窗口。本申请仿真表面等离子体光刻结构的具体光刻过程，并且在不同的曝光能量和空气层的厚度下进行多次仿真，节省了材料和时间，提高了工艺窗口的准确度，提高表面等离子体光刻的工艺参数波动容忍度。