一种红外芯片极弱暗电流的表征方法

本发明公开了一种红外芯片极弱暗电流的表征方法，包括：根据测试系统极限、红外芯片预期盲元率和暗电流，计算阵列像元数量的下限与上限；将红外芯片的像元阵列引出到测试管脚；利用数字源表测量像元阵列的总暗电流；暗电流根据阵列规格归一化；剔除由短路像元引入的暗电流明显偏大的异常结果；得到该器件单个像元的暗电流。本发明采用多像元并联的方法，使阵列总暗电流可以被现有测试系统准确测量，并给出了阵列像元数量的计算方法，为极弱暗电流的红外芯片提供了一种简单快捷、普适性强的表征方法。