一种三维芯片封装结构及其制造方法

本发明公开了一种三维芯片封装结构及其制造方法，属于半导体技术领域。所述封装结构包括：第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片相对设置，所述第一芯片和所述第二芯片通过连接焊盘键合；电容器，设置在所述第一芯片和所述第二芯片之间，且所述电容器包括第一极板和第二极板，所述第一极板设置在所述第一芯片上，所述第二极板设置在所述第二芯片上；以及第一绝缘层，填充在所述连接焊盘、所述第一极板和所述第二极板之间。通过本发明提供的三维芯片封装结构及其制造方法，能够将电容器集成在三维方向，可以极大的增加电容面积，缩短电容器到电源网络的距离，提高封装结构的性能。