一种单端开口式高性能磁屏蔽系统及其设计方法

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一种单端开口式高性能磁屏蔽系统及其设计方法
申请号:CN202411606712
申请日期:2024-11-12
公开号:CN119471500A
公开日期:2025-02-18
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种单端开口式高性能磁屏蔽系统及其设计方法,该系统由被动磁屏蔽子系统与主动磁补偿子系统组合而成。被动磁屏蔽子系统由单端开口式高磁导率及高电导率金属桶交替嵌套构成,该结构有助于同步提升对全频段磁干扰的屏蔽能力;主动磁补偿子系统由一组轴向非线性梯度线圈、两组磁场正交的径向非线性梯度线圈及磁补偿控制电路组成,三组磁补偿线圈绕组均基于单端开口式磁屏蔽桶内特有的非线性分布式磁干扰反向设计而得,不同于常规的匀场与线性梯度线圈,可实现桶内工作区域磁干扰的精准补偿。本发明有助于提升单端开口式磁屏蔽系统的屏蔽能力,为极弱磁测量提供所需的近零磁环境。
技术关键词
磁屏蔽系统 梯度线圈 非线性 补偿控制电路 子系统 高性能 粒子群优化算法 磁屏蔽桶 线圈参数 屏蔽效能 高磁导率材料 屏蔽材料 笛卡尔坐标系 方位角 线圈绕组
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