一种残余应力的量化表征方法及其粘接应力放大结构

本发明公开了一种残余应力的量化表征方法及其粘接应力放大结构，涉及封装技术领域，包括以下步骤：S1，剥离裸硅片表面的蓝膜；S2，通过拉曼光谱的选区测量对S1处理过的裸硅片进行表征；S3，把S1处理过的裸硅片通过气压将其吸附在点胶台上，使用粘接剂按照紧凑的回字形图案进行点胶，并且提高胶层厚度；S4，点胶完毕后，裸硅片上形成粘接剂层，在粘接剂层和粘接基底进行固化得到粘接应力放大结构；S5，通过拉曼光谱的选区测量对粘接应力放大结构的裸硅片进行表征；S6，得到拉曼光谱频移值Δwj，进而计算得到裸硅片所受的残余应力值。本发明有效地解决了常规芯片因尺寸和应力水平限制而难以进行准确拉曼光谱表征的难题。