多层堆叠存储芯片的封装方法及系统

本发明涉及微电子封装技术领域，揭露了一种多层堆叠存储芯片的封装方法，包括：构建待封装存储芯片的3D封装结构布局；构建3D封装结构布局的物理场，将物理场和所述场作用关系集成至3D封装结构布局中，得到耦合3D封装结构布局；计算耦合3D封装结构布局的热点、高应力区以及高电场区，对耦合3D封装结构布局进行优化，得到目标封装结构布局；对待封装存储芯片进行多层堆叠，得到多层堆叠存储芯片；对多层堆叠存储芯片进行封装，得到封装多层堆叠存储芯片，利用预设的材料修复算法激活所述自修复材料的封装修复，得到封装修复材料，基于所述封装修复材料执行所述待封装存储芯片的多层堆叠封装。本发明可提高多层堆叠存储芯片的封装稳定性。