晶圆刻蚀处理方法、装置、设备和存储介质

本发明实施例涉及半导体领域，公开了一种晶圆刻蚀处理方法，包括：提供装有刻蚀液的药液槽，其中，刻蚀液在执行刻蚀过程中沿第一方向流动；将晶圆置入刻蚀液内，晶圆的表面设置有待刻蚀的初始线路层，初始线路层上至少部分线路布局方向与第一方向间的夹角呈非90度；通过控制刻蚀液沿第一方向流动，对初始线路层进行冲刷式刻蚀，以得到线路层。本申请公开的晶圆刻蚀处理方法，解决了现有的刻蚀方式即使增加刻蚀时间晶圆仍容易出现金属残留，对芯片的性能与可靠性造成严重影响的问题，至少可以达到改变刻蚀液对初始线路层的冲击力以及刻蚀面的侵蚀性，增加刻蚀效率，且减少湿法刻蚀中晶圆存在金属残留的情况的发生概率。