一种三维集成电路堆叠结构制作方法和晶圆重构方法

本发明实施例公开一种三维集成电路堆叠结构制作方法和晶圆重构方法，涉及半导体芯片技术领域。所述三维集成电路堆叠结构制作方法包括：将至少两个第一芯片固定在第一承载体的预设位置处，形成重构后的第一承载体；所述第一芯片为满足规格的芯片；将所述重构后的第一承载体上的至少两个第一芯片，与第二承载体上的至少两个第二芯片对应键合，形成堆叠结构体；所述第二芯片为满足规格的芯片；将所述堆叠结构体进行切割，形成单体三维集成电路堆叠结构；其中，每个单体三维集成电路堆叠结构包括键合在一起的第一芯片和第二芯片。本发明实施例可用于三维集成电路堆叠结构制作。