基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法及系统

本发明涉及半导体材料的二极管技术领域，一种基于快速恢复二极管芯片的性能分析模型构建方法及系统，包括：对快速恢复二极管芯片集执行分类排序操作，得到顺序芯片集，基于顺序芯片集构建实验参数集，对实验参数均执行如下操作：基于额定条件构建检测电路，并将实验芯片安装至检测电路后，得到目标参数曲线集及检测参数集，将目标参数曲线集、实验参数、检测参数集及实验芯片关联，得到单位模型，汇总单位模型，得到初始模型，基于实验参数集构建扩增参数序列集，基于扩增参数序列集及初始模型构建性能分析模型。本发明可实现在已知二极管芯片型号时，对不同过渡区尺寸及不同掺杂浓度的快速恢复二极管芯片在反向恢复阶段中的性能进行预测。