一种磷化铟芯片抛光用腐蚀液、磷化铟芯片抛光方法及磷化铟芯片

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一种磷化铟芯片抛光用腐蚀液、磷化铟芯片抛光方法及磷化铟芯片
申请号:CN202411657447
申请日期:2024-11-19
公开号:CN119592381A
公开日期:2025-03-11
类型:发明专利
摘要
本发明属于磷化铟芯片处理技术领域,公开了一种磷化铟芯片抛光用腐蚀液、磷化铟芯片抛光方法及磷化铟芯片,该磷化铟芯片抛光用腐蚀液,包括盐酸和硝酸,所述腐蚀液中盐酸的质量浓度为0.16‑0.38%,硝酸的质量浓度为0.16‑0.35%。本发明公开了一种磷化铟芯片抛光用腐蚀液,采用特定浓度的盐酸和硝酸复配,能够有效控制腐蚀过程中对磷化铟芯片的腐蚀情况,能够有效控制磷化铟芯片的表面粗糙度,提高了产品的良品率。
技术关键词
芯片抛光方法 磷化铟 硝酸 盐酸 抛光液 研磨液 纯水 溶液 氧化铝 次氯酸钠 金刚石 氧化锆 粗糙度 压力
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