半导体结构及半导体结构的制备方法

本发明实施例公开了一种半导体结构及半导体结构的制备方法。该半导体结构包括：衬底；衬底的表面包括芯片单元；第一氧化层；第一氧化层位于衬底的一侧；掺氧多晶硅层；掺氧多晶硅层位于第一氧化层远离衬底的一侧；掺氧多晶硅层在衬底的投影面积小于第一氧化层在衬底的投影面积；氮化硅层；氮化硅层位于掺氧多晶硅层远离衬底的一侧；氮化硅层覆盖掺氧多晶硅层；第二氧化层；第二氧化层位于氮化硅层远离衬底的一侧；第二氧化层覆盖氮化硅层。本发明实施例的技术方案，通过在掺氧多晶硅层远离衬底的一侧设置氮化硅层和第二氧化层，且氮化硅层覆盖掺氧多晶硅层，第二氧化层覆盖氮化硅层，避免掺氧多晶硅层失效，提高半导体结构的良率及可靠性。