一种基于有限元法的高热耗率SiC MOSFET功率器件热分析方法

本发明公开一种基于有限元法的高热耗率SiC MOSFET功率器件热分析方法，包括以下步骤：步骤1、载入材料信息，步骤2、三维建模，根据所述各个零部件的三维尺寸与布置位置进行建模，获得三维模型；步骤3、模型修正，将三维模型的棱角进行圆弧化处理和简化处理；基于简化模型划分计算网格；步骤4、设置，对简化模型的各部分的材料属性进行设置；设置所述简化模型的边界条件；步骤5、获取稳态温度，选择固体传热物理场模型，利用热传导方程的有限元数值方法求取待分析的高热耗率SiC MOSFET功率器件的稳态温度。本发明能更高效地计算出高热耗率的SiC MOSFET功率器件的工作稳态温度，所使用简化的SiC MOSFET模型可以在满足工程误差需求下，提高计算速度。