发光二极管芯片及其制备方法、LED

本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种发光二极管芯片及其制备方法、LED，本发明提供的发光二极管芯片的制备方法中，对所述预设区域内的N型半导体层进行第二光刻处理和第二干法刻蚀，所述第二干法刻蚀所采用的刻蚀气体为SiCl4气体和Ar气体，以使所述预设区域的N型半导体层的Si掺杂浓度高于所述非预设区域的N型半导体层的Si掺杂浓度，并在所述预设区域内的N型半导体层上制备N型电极，以此实现了N型电极与N型半导体有更好的欧姆接触，降低芯片电压，同时又不影响N型半导体的整体Si掺杂浓度，避免了导致外延层的发光效率低从而导致芯片亮度低，实现了降压的同时又不损失发光亮度。