摘要
本发明涉及芯片封装技术领域,具体地说是一种多层封装玻璃基板的制作方法及结构。包括如下步骤:S1,预处理玻璃原胚;S2,在玻璃芯板上形成孔径为40~100um的若干竖向通孔;S3,在竖向通孔一端形成横向通孔,形成T字型通孔;S4,对T字型通孔进行填孔作业;S5,贴粘合胶层;S6,将另一个预处理后的玻璃芯板通过粘合胶层进行粘贴;S7,重复步骤S2至步骤S6。同现有技术相比,利用多层粘合叠层技术实现玻璃基板高密度和高精细玻璃基板的增层。利用玻璃基板和封装芯片的WB打线技术相结合,可以制造出高存储的芯片。利用TGV通孔技术和镭射通孔技术相结合,并搭配现行简易的电镀铜方式,实现各层间电路导通,以实现层间互连,可以有效降低成本。
技术关键词
多层封装
芯板
玻璃基板
粘合胶层
通孔工艺
电镀铜
存储芯片
全氟环丁烷
填充胶
粘合叠层
芯片封装技术
电镀沉铜
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