一种新的半导体衬底制备方法

本公开提供了一种新的半导体衬底制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决衬底制备过程中材料损耗较大的问题。一种新的半导体衬底制备方法包括：提供支撑层和供体层；供体层包括：相对设置的第一表面和第二表面，将支撑层键合至供体层的第一表面；在供体层的第二表面远离第一表面的一侧进行激光辐照，形成改质层，供体层的自改质层至第一表面的部分形成第一子层，供体层的自改质层至第二表面的部分形成第二子层；将第二子层与第一子层自改质层处剥离；对第一子层远离支撑层的表面进行抛光，得到半导体衬底。上述半导体衬底用于制备电子设备。