一种LED芯片及其制备方法

一种LED芯片及其制备方法，LED芯片包括衬底和设于衬底一侧表面的外延结构；外延结构包括沿第一方向依次设置的第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层，第一方向垂直于衬底，且由衬底指向外延结构；多量子阱层包括由第一膜组构成的周期性结构，各第一膜组包括沿第一方向依次设置的量子垒层和量子阱层；量子垒层为GaN层，量子阱层为由第一子层和第二子层构成的周期性结构；第一子层为I n含量为n的I nGaN层，第二子层为I n含量为m的I nGaN层，m＞n，以使得量子阱层的能带呈锯齿形。这种锯齿形能带能够调控I n团簇在量子阱层中的空间分布，降低势垒高度，增加空穴注入，从而增加电子和空穴波函数重叠的几率，进而提升LED芯片的发光效率。