具有电流扩展层的发光二极管芯片及其制备方法

本公开提供了一种具有电流扩展层的发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片包括第一电流扩展层、外延层和第二电流扩展层；第一电流扩展层和第二电流扩展层分别位于外延层的相反两侧；第一电流扩展层包括周期性交替层叠的阱层和垒层，阱层为(Alx1Ga1‑x1)0.5In0.5P层，0.1≤x1≤0.2，垒层为(Alx2Ga1‑x2)0.5In0.5P层，0.3≤x2≤0.4，阱层的厚度大于垒层的厚度。本公开能够有效的解决吸光的问题。