一种晶圆级芯片表面电沉积难熔金属层的打底层防翘起前处理工艺

本发明涉及晶圆级芯片表面金属化技术领域，公开了一种晶圆级芯片表面电沉积难熔金属层的打底层防翘起前处理工艺。这种前处理工艺包括以下步骤：(1)对晶圆级芯片表面进行清洗、(2)晶圆级芯片表面镀SiO2薄膜、(3)SiO2薄膜表面镀粘结过渡层薄膜、(4)粘结过渡层薄膜退火处理、(5)在粘结过渡层薄膜表面沉积无机陶瓷层薄膜、(6)无机陶瓷层薄膜表面镀金属导电种子层、(7)金属导电种子层表面进行光刻胶掩模图案成型处理后，采取电沉积技术制备高熔点难熔金属(W、Mo、Ir、Re)及其合金层。本发明确保了整体薄膜的附着力，有效的避免了整体薄膜的剥离和翘起。