一种多元算力融合控制芯片及制造方法

本发明公开了一种多元算力融合控制芯片及制造方法，所述芯片包括：P型基底层、DMOS单元、PMOS单元、NMOS单元、双极型单元、第一P阱区单元和第二P阱区单元；DMOS单元、PMOS单元、NMOS单元、双极型单元、第一P阱区单元和第二P阱区单元分别设置在P型基底层的浅构槽；DMOS单元、第一P阱区单元、NMOS单元、PMOS单元、第二P阱区单元和双极型单元在水平方向依次设置。本发明通过集成多个不同的单元，可以使得芯片能够在复杂的工作环境中保持稳定运行，减少因电压不稳定或瞬态电流过大引发的故障，提升了电路的可靠性，避免电源波动对敏感的数字和模拟电路产生影响，同时也降低了功耗损失。