一种光电忆阻器阵列的制备方法及其光电忆阻器阵列的应用

本发明涉及智能传感技术领域，尤其是提供了一种光电忆阻器阵列的制备方法及其光电忆阻器阵列的应用。该光电忆阻器件阵列由下至上包括衬底层NSTO和顶电极层ITO；衬底层为NSTO氧化物半导体，采用激光直写技术在衬底层上定义出忆阻器件的图形，再采用脉冲激光沉积技术PLD在其上面沉积透明氧化铟锡ITO，该光电忆阻器件阵列实现了低延迟、低能效和高工作效率。