一种3DIC光电集成式半导体封装结构及其制备方法

本发明提供一种3DIC光电集成式半导体封装结构的制备方法，通过TSV基底、重新布线层、第一电芯片、第二电芯片、介质层及导电柱，将光芯片模块、3D堆叠芯片及水平存储芯片进行集合封装，其中，光芯片模块与3D堆叠芯片通过第一电芯片连接，3D堆叠芯片与水平存储芯片通过第二电芯片连接，以此实现光集成电路与电集成电路的短距离连接，从而大大减少光电信号的传输距离，缩小封装面积，降低功耗，满足光电芯片的高密度集成封装。