一种薄膜体声波谐振器芯片结构以及制造方法

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一种薄膜体声波谐振器芯片结构以及制造方法
申请号:CN202411804273
申请日期:2024-12-10
公开号:CN119276239B
公开日期:2025-04-04
类型:发明专利
摘要
本公开实施例提供一种薄膜体声波谐振器芯片结构以及制造方法。该结构包括:第一衬底和构成谐振器单元的压电层、第一金属层和第四金属层;第一金属层被隔离槽分为第一金属层第一电极部、第一金属层第二电极连接部和第一金属层谐振器周边部;第二金属层包括第二金属层第一部、第二金属层第二部和第二金属层第三部;第三金属层第一部位于第二金属层第一部远离第一金属层的一侧;第三金属层第二部位于第二金属层第二部远离第一金属层的一侧;第三金属层第三部位于第二金属层第三部远离第一金属层的一侧;第二金属层和第三金属层的高度之和决定第一衬底与谐振器单元之间的第一空腔的高度。
技术关键词
薄膜体声波谐振器 芯片结构 接触孔 谐振器单元 衬底 电极 通孔 碳化硅 空腔 缓冲层 陶瓷 玻璃
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