Micro LED外延片及其制备方法、Micro LED芯片

本发明涉及光电技术领域，公开了一种Micro LED外延片及其制备方法、Micro LED芯片，所述Micro LED外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层；所述多量子阱层包括依次层叠的第一多量子阱层、第二多量子阱层和第三多量子阱层，所述第二InGaN量子阱层的In组分含量大于所述第一InGaN量子阱层的In组分含量，所述第二InGaN量子阱层的In组分含量大于所述第三InGaN量子阱层的In组分含量。本发明提供的Micro LED外延片能够提高Micro LED芯片在低工作电流密度下的光效。