一种发光二极管芯片及其制备方法

本发明涉及半导体光电器件领域，具体公开了一种发光二极管芯片及其制备方法。发光二极管芯片包括衬底；外延层，其设于衬底上，外延层包括依次层叠于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层；外延层形成有暴露第一半导体层的裸露区域；第一透明导电层，其层叠于第二半导体层上；第二透明导电层，其层叠于第一透明导电层上；第一电极，其设于裸露区域内的第一半导体层上，并与第一半导体层电连接；和第二电极，其设于第二透明导电层上，并与第二半导体层电连接；其中，第一透明导电层的透光率小于第二透明导电层的透光率，第一透明导电层的方阻小于第二透明导电层的方阻。实施本发明，可提升发光二极管芯片的发光效率。