一种增益可调的MEMS压力芯片制备方法

本发明公开了一种增益可调的MEMS压力芯片制备方法，涉及MEMS芯片制备技术领域，方法包括：在顶硅层表面形成N+埋层区；将顶硅层面与双抛硅片进行键合，去除SOI硅片衬底层及埋氧层；顶硅层形成增益电路区、隔离区和压阻区；双抛硅片层加工形成背腔，获取MEMS芯片；增益电路区集电区与N+埋层区连通，用于降低串联电阻及减少寄生晶体管的影响。本发明增益电路区位于隔离区内层和外层之间，压阻区位于内层的范围内，增益电路集成在MEMS芯片内，不仅缩短了信号传输路径，还能有效减少传统分立式设计中的寄生电容和信号损失，获取的MEMS压力芯片具有集成度高、信号灵敏度高、结构强度高、易于传感器集成等优点。