一种GaN HEMT单粒子烧毁效应评价方法

本发明公开了一种GaN HEMT单粒子烧毁效应评价方法，适应各类GaN HEMT器件特点，可以对宇航用GaN HEMT器件的单粒子烧毁效应做出评价，服务于航天型号，解决宇航倒GaN HEMT器件单粒子评估方法缺失问题。