一种光学邻近校正建模方法及其系统

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一种光学邻近校正建模方法及其系统
申请号:CN202411824008
申请日期:2024-12-12
公开号:CN119292010B
公开日期:2025-05-13
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种光学邻近校正建模方法及其系统。本发明通过获取相同版图图形针对不同光刻胶厚度的多个膜层数据,利用多个膜层数据以及光源信息预先建立不同的光学模型;根据测量数据中的光刻胶厚度选择对应的光学模型;由选择的光学模型以及光阻模型、光罩模型构建光刻模型;通过光学模型参数、光阻模型参数、光罩模型参数的取值范围内进行随机取值,生成多个参数组合;使用多个参数组合通过仿真软件对光刻模型进行光刻仿真,评估不同参数组合下的光刻效果,筛选出最优参数组合。本发明采用在膜层结构中不同区域引入不同光学模型,降低后续OPC补修概率,提高半导体制造的精度和效率。
技术关键词
光学邻近校正 光刻胶厚度 构建光刻模型 建模方法 参数 光罩 版图图形 仿真软件 膜层结构 数据 光源 建模系统 多晶硅 模块 成像 半导体 尺寸
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