半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的性能。半导体器件包括衬底、第一盖帽层、第二盖帽层、第一栅极、第二栅极、第一电极和第二电极。第一盖帽层和第二盖帽层设置于衬底的一侧，且沿第一方向间隔设置，第一方向平行于衬底。第一盖帽层和第二盖帽层中的至少一者包括第一子层和第二子层，沿第一方向，第一子层设置于第二子层的一侧。第一子层的厚度大于第二子层的厚度。第一栅极设置于第一盖帽层远离衬底的一侧，第二栅极设置于第二盖帽层远离衬底的一侧。第一电极和第二电极沿第一方向设置于第一盖帽层和第二盖帽层组成的结构的相对两侧。上述半导体器件应用于芯片中。