摘要
本发明公开了一种超导量子芯片处理器折叠比特加工方法及工艺,涉及超导量子计算与微纳加工技术领域,该加工方法的具体步骤为:S100,衬底预处理与SiO2图形初刻:选定12英寸及以下的硅、SiC、GaN的晶圆为基,运用原子力显微镜及应力测试仪,探测衬底表面形貌与应力初始值,本发明通过引入聚焦离子束技术,实现了超导量子比特的折叠加工,极大地突破了传统平面加工技术的局限性,传统的超导量子比特加工方法主要基于平面加工工艺,在实现复杂三维结构的加工时面临诸多挑战,而本发明利用聚焦离子束技术,精确控制薄膜的应力分布,实现设定方向高度可控的形变,从而轻松实现超导量子比特的折叠。
技术关键词
超导量子芯片
原子力显微镜
超导量子比特
应力测试仪
电子束
聚焦离子束技术
约瑟夫森结
石英晶体微天平
等离子体沉积
膜层折叠
光学干涉仪
电容式薄膜真空计
探测衬底
湿法刻蚀工艺
处理器
速率
真空夹具
悬空结构
光学显微镜
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