摘要
本发明提供了一种LED外延片及其制作与分离方法,其中,LED外延片在蓝宝石衬底和外延叠层之间设有第一牺牲层和U型GaN层,其中,第一牺牲层设置于蓝宝石衬底的部分表面,U型GaN层通过层叠于蓝宝石衬底表面的方式覆盖第一牺牲层,由于U型GaN层可吸收激光能量,能被激光分解,为形成间隙通道使腐蚀溶液通过间隙通道溶解第一牺牲层提供条件,可高效、低成本的实现蓝宝石衬底的无损剥离,使蓝宝石衬底可重复回收利用,还可避免现有剥离工艺破坏外延叠层而造成漏电率增加,良率较低等问题,进而提高LED芯片可靠性及良率。
技术关键词
U型GaN层
LED外延片
缓冲结构
蓝宝石衬底表面
单晶薄膜
叠层
半导体层
水溶性
端点
接触面
磁控溅射工艺
干法刻蚀工艺
气相沉积工艺
层叠
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