一种LED外延片及其制作与分离方法

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一种LED外延片及其制作与分离方法
申请号:CN202411831996
申请日期:2024-12-12
公开号:CN119653938A
公开日期:2025-03-18
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种LED外延片及其制作与分离方法,其中,LED外延片在蓝宝石衬底和外延叠层之间设有第一牺牲层和U型GaN层,其中,第一牺牲层设置于蓝宝石衬底的部分表面,U型GaN层通过层叠于蓝宝石衬底表面的方式覆盖第一牺牲层,由于U型GaN层可吸收激光能量,能被激光分解,为形成间隙通道使腐蚀溶液通过间隙通道溶解第一牺牲层提供条件,可高效、低成本的实现蓝宝石衬底的无损剥离,使蓝宝石衬底可重复回收利用,还可避免现有剥离工艺破坏外延叠层而造成漏电率增加,良率较低等问题,进而提高LED芯片可靠性及良率。
技术关键词
U型GaN层 LED外延片 缓冲结构 蓝宝石衬底表面 单晶薄膜 叠层 半导体层 水溶性 端点 接触面 磁控溅射工艺 干法刻蚀工艺 气相沉积工艺 层叠 有源区 LED芯片
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