半导体器件的终端结构、其制备方法和半导体器件

本申请提供了一种半导体器件的终端结构、其制备方法和半导体器件，该终端结构包括：衬底；外延层，位于衬底的一侧；场氧化层，至少位于外延层的远离衬底的部分表面上；层间介质层，位于场氧化层的远离衬底的表面上、场氧化层的部分侧壁上以及外延层的远离衬底的部分表面上；至少一个第一沟槽，沿第一方向设置在未覆盖场氧化层的层间介质层中，且第一沟槽深入外延层，第一方向为衬底厚度方向；钝化层，至少位于第一沟槽中以及层间介质层的远离衬底的表面上。本申请解决了现有技术中平面型碳化硅MOSFET功率芯片在高温高湿环境下因不同介质层热膨胀系数差异导致水汽渗透影响芯片寿命的问题。