基于微射流激光技术的高热电性能深槽欧姆接触设计方法

本发明提供基于微射流激光技术的高热电性能深槽欧姆接触设计方法，涉及半导体功率器件技术领域。包括：高热电性能深槽欧姆接触结构通过超短脉冲激光器的微射流激光刻蚀工艺得到，基于超短脉冲激光器的微射流激光刻蚀工艺，通过精准刻蚀定位区域，实现满足微流道热管理性能要求且兼容后续器件工艺和研究要求的深槽流道。结合利用硬掩膜工艺和厚光刻胶工艺制备的电容‑电压环形二极管测量单元、利用硬掩膜工艺或厚光刻胶工艺制备的传输线模型测量单元以及利用化学机械抛光工艺制备的时域热反射测量单元，实现对高热电性能深槽欧姆接触结构热电特性的优化迭代研究，进而实现高热电性能深槽欧姆接触。