芯片封装结构及其制备方法

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芯片封装结构及其制备方法
申请号:CN202411874809
申请日期:2024-12-18
公开号:CN119812135B
公开日期:2025-12-30
类型:发明专利
摘要
本申请公开了芯片封装结构及其制备方法,属于芯片封装技术领域。所述芯片封装结构,包括:基底;第一散热层,所述第一散热层设置在所述基底上,且所述第一散热层上设置有第一凹槽;芯片,所述芯片设置在所述第一凹槽中;第二散热层,所述第二散热层设置在所述第一散热层靠近所述基底的一侧;烧结层,所述烧结层设置在所述第二散热层远离所述基底的一侧,所述烧结层的材料包括铜。本申请的技术方案能够解决相关技术中芯片封装结构存在散热性差的问题。
技术关键词
芯片封装结构 散热层 基底 导热 抗氧化层 导电层 无压烧结工艺 磁控溅射工艺 芯片封装技术 凹槽 通孔 焊盘 导电柱 铜块
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