SOI射频器件低温模型建模方法

本发明提供了一种SOI射频器件低温模型建模方法，包括：对射频器件在各温度下的直流特性进行建模；建立用于低温S参数仿真的小信号等效电路图；根据小信号等效电路图，从不同温度下的射频实测数据中提取小信号参数；将不同温度提取出来的上述参数进行建模，建立这些参数与温度之间的关系并写入SPICE网表；建立Ft,Fmax与温度之间的联系。本发明针对低温情况，采用不同温度下的提取数据进行建模，建立Ft,Fmax与温度之间的联系，使其能够适用于低温环境。