一种离子阱芯片的厚膜层生成方法

本发明提供了一种离子阱芯片的厚膜层生成方法，具体的包括：S1：在离子阱芯片的衬底上生长第一键合层；S2：在厚膜层所需材料上生长第二键合层；S3：通过键合工艺，将第一键合层与第二键合层进行键合；S4：通过减薄工艺，将厚膜层所需材料的厚度减薄至预设厚度。本发明避免了整个离子阱芯片均采用生长方式所产生的速度限制，也解决了生长的薄膜越厚，质量越难以保证的问题。