一种测试芯片及其线路修改方法

本发明公开了一种测试芯片及其线路修改方法，涉及半导体技术领域。该线路修改方法包括：提供待测芯片，待测芯片包括衬底、位于衬底一侧的多层导电层、以及位于各导电层背离衬底一侧的顶层介质层；各导电层中的待测导电层包括待测线路；形成贯穿待测层背离衬底一侧的各膜层的线路引出孔，以露出待测线路，线路引出孔的第一线路引出孔中，靠近待测线路的第一线路引出孔的尺寸小于远离待测线路的第一线路引出孔的尺寸；在线路引出孔周围以及线路引出孔内沉积导电材料，以形成测试焊盘、以及连接测试焊盘与待测线路的引出线。本发明的技术方案通过形成上宽下窄的第一线路引出孔，使得导电材料能够沉积于第一线路引出孔侧壁，提高线路修改的准确性。