一种红外焦平面阵列探测器倒焊互连三维电极的制造方法

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一种红外焦平面阵列探测器倒焊互连三维电极的制造方法
申请号:CN202411897362
申请日期:2024-12-23
公开号:CN119815948A
公开日期:2025-04-11
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种红外焦平面阵列探测器倒焊互连三维电极的制造方法,包括以下步骤:(1)在红外探测器芯片上旋涂光刻胶,用掩膜板曝光后显影形成三维胶孔;(2)在芯片表面镀复合金属膜;(3)旋涂保护光刻胶,对芯片进行紫外光弱泛曝光,显影去除保护光刻胶表面的薄层光刻胶,露出顶部复合金属膜;(4)蚀刻去除顶部复合金属膜;(5)使用有机溶剂去胶获得三维电极。本发明方法工艺兼容性好,制作的三维电极一致性好,适合大面积生产。
技术关键词
复合金属膜 三维电极 红外探测器芯片 电感耦合等离子体 掩膜板曝光 光刻胶表面 表面镀 薄层 蚀刻方法 紫外光 转角处 电子束 阵列
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