基于超声波的半导体芯片缺陷检测方法

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基于超声波的半导体芯片缺陷检测方法
申请号:CN202411909676
申请日期:2024-12-24
公开号:CN119666982A
公开日期:2025-03-21
类型:发明专利
摘要
本发明涉及超声波检测技术领域,尤其涉及基于超声波的半导体芯片缺陷检测方法,包括:步骤一,在芯片检测区域对待检芯片进行识别,在辅助检测区域对耦合介质的初始检测值进行检测;步骤二,利用超声波技术对待检芯片进行检测,然后将初始给定条件结合检测坐标的等待时间,确定每个检测坐标的温度变化率和浓度变化率;步骤三,基于温度变化率和浓度变化率,确定同频区域;步骤四,将原始检测信号的信号位置与同频区域的检测坐标进行对应,确定原始检测信号的补偿区间;步骤五,计算补偿区间的补偿参数,并按照补偿参数进行信号校正,本发明能够使得超声波检测图像得到了精确且全面的补偿和校正,进而提高了半导体芯片的检测质量和可靠性。
技术关键词
检测坐标 缺陷检测方法 半导体芯片 信号校正 芯片检测系统 标记 超声波技术 轮廓图像 超声波检测技术 介质 坐标系 参数 恒温恒湿环境 视觉检测设备 数据 温差
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