摘要
本发明涉及一种微环谐振器及其制备方法,属于集成光子器件与半导体制造技术领域。本发明的微环谐振器,包括微环结构和总线波导,所述微环谐振器的材料包括AlxGa1‑xAs,其中x>0.4。本发明提供的微环谐振器是一种集成的O波段微环谐振器,该谐振器具有高效率、小型化和集成化的特点,相对于现有的氮化硅和铌酸锂微环谐振器,具有相当的品质因子,同时产生光频梳的阈值低至微瓦量级。本发明的微环谐振器采用Al组分大于0.4的AlGaAs材料,有效降低了双光子吸收(TPA)现象带来的损耗,提高了光频梳的生成效率和稳定性。
技术关键词
微环谐振器
集成光子芯片
砷化镓衬底
波导
集成光子器件
磁控溅射沉积
砷化镓层
原子层沉积
氮化硅
高效率
半导体
溶液
光刻
机械
因子
损耗
频率
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