一种TSV抗辐射封装结构及封装方法

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一种TSV抗辐射封装结构及封装方法
申请号:CN202411924043
申请日期:2024-12-25
公开号:CN119742303A
公开日期:2025-04-01
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种TSV抗辐射封装结构及封装方法,TSV抗辐射封装结构包括:第一重布线层,设置于晶圆正面;晶圆,晶圆内部蚀刻有空腔;芯片,设置于晶圆内部空腔内;第二重布线层,设于晶圆背面,并于芯片电连接;辐射防护层,设置于晶圆内部空腔和背面,包裹芯片;TSV通孔,贯穿设置于晶圆,连接第一重布线层与第二重布线层。利用抗辐射材料保护芯片,可用于高能X射线探测、伽马射线探测等领域,提高芯片的防护性能。
技术关键词
封装结构 抗辐射结构 布线 封装方法 处理器芯片 高能X射线探测 防护层 晶圆背面 空腔 正面 探测器 复合材料 保护芯片 焊球 通孔 聚合物 包裹 蚀刻
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