一种封装方法、封装结构及电子设备

本申请实施例提供了一种封装方法、封装结构及电子设备，所述封装方法包括：提供待堆叠的多个中介层结构，对于相互堆叠的中介层结构分别进行预处理，以至少在相互堆叠的中介层结构中形成相匹配的键合结构；利用相互堆叠的中介层结构相匹配的键合结构，对相互堆叠的中介层结构进行混合键合处理，形成所述多个中介层结构相堆叠的3D中介层结构；其中，所述3D中介层结构的深沟槽电容的总容值为所述多个中介层结构的深沟槽电容的容值之和；利用所述3D中介层结构连接芯片模块和封装基板。本申请实施例提供的封装方法能够提升3D中介层结构的深沟槽电容值，提高电气性能，从而提升芯片的运行性能。