使用双堆叠式支座缝合进行V型键合以提高RF性能

本公开涉及使用双堆叠式支座缝合进行V型键合以提高RF性能。一种形成引线键合组件的方法包括将第一键合线的第一端引线键合到布置在第一基板上的第一导电键合表面，以形成第一导电键合形成件；将第一键合线的第二端引线键合到布置在第二基板上的第二导电键合表面，以形成第二导电键合形成件，其中第二基板；在第一导电键合形成件的顶部上形成导电结构；将第二键合线的第一端引线键合到导电结构的顶部，以形成第三导电键合形成件；以及将第二键合线的第二端引线键合到第二导电键合表面，以形成第四导电键合形成件，其中第四导电键合形成件在第二导电键合表面上与第二导电键合形成件横向分离。