一种QFN封装结构及QFN封装方法

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一种QFN封装结构及QFN封装方法
申请号:CN202411940046
申请日期:2024-12-26
公开号:CN119786481A
公开日期:2025-04-08
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种QFN封装结构及QFN封装方法,QFN封装结构中,芯片焊接面与引线框架第一表面齐平,引线框架环绕芯片,芯片有源面通过与引线框架第二表面上的引脚引线键合;塑封层包裹芯片的有源面、键合引线和引线框架的第二表面及之间的空隙。本发明去除QFN封装的引线框架中承载芯片的基岛,减少QFN封装总厚度,有利于QFN封装小型化;同时去除基岛使芯片焊接面裸露,减少芯片散热热阻,提高散热效率;另外,去除基岛同时去除与基岛连接的导热系数较差的装片胶,进一步提高芯片的散热效率;最后,通过使用粘性薄膜在设置塑封层前将芯片固定在引线框架内,提高去除薄膜的效率,并降低去除薄膜对芯片等结构的影响,提高QFN封装结构的性能可靠性和生产良率。
技术关键词
引线框架 QFN封装结构 封装方法 薄膜 芯片焊接 耐高温材料 焊接金属 空隙 包裹 基板 金属化 压板 热阻 良率 导热 真空
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