浅槽隔离形成方法、半导体器件及芯片

本发明提供一种浅槽隔离形成方法、半导体器件及芯片，涉及半导体技术领域。浅槽隔离形成方法包括：提供一衬底，并在衬底的上表面依次形成缓冲层和具有刻蚀窗口的停止层；通过刻蚀窗口对缓冲层进行第一刻蚀处理，以在缓冲层形成缓冲沟槽；其中，缓冲沟槽的槽壁为内凹的弧状构型；对缓冲沟槽的槽底进行第二刻蚀处理，以在缓冲沟槽底部的衬底形成初始隔离沟槽；初始隔离沟槽与缓冲沟槽相接的槽口为圆滑的倒角构型；对初始隔离沟槽的槽底进行第三刻蚀处理，以加深初始隔离沟槽的深度，形成隔离沟槽；填充隔离沟槽，形成浅槽隔离。通过本发明，能在浅槽隔离的开口形成圆滑的倒角，提升半导体结构的性能稳定性，提高半导体的可靠性。