一种霍尔效应传感器及其制造方法

本发明属于传感器技术领域，具体涉及一种霍尔效应传感器及其制造方法，包括集成电路，集成电路包括集成电路主体以及形成于集成电路主体表面的布线层；布线层上依次垂直堆叠有接合层、霍尔效应材料层以及钝化层；钝化层覆盖于霍尔效应材料层的外表面，并与接合层堆叠于一体。制造方法包括以下步骤：S1、形成接合层；S2、形成霍尔效应材料层；S3、形成一阶通孔与二阶通孔；S4、在霍尔效应材料层与布线层之间形成电学连接；S5、形成钝化层；S6、实现集成电路与外界的电学连结。本发明能够将霍尔效应材料与集成电路垂直堆叠，缩小面积、降低成本，缩短引线、提高抗电磁干扰能力；同时使用钝化材料将二者与环境隔离开，提高耐受高温高湿环境能力。