高密度垂直堆叠DRAM封装结构、工艺

本发明属于封装结构技术领域，特别涉及高密度垂直堆叠DRAM封装结构、工艺。封装结构由DRAM 02芯片~DRAM 04芯片依次垂直堆叠在DRAM 01芯片上形成，DRAM 04芯片的正面有金属凸块；DRAM芯片被模塑料包覆形成模塑封装层，垂直通孔从内部贯穿封装结构，模塑料包括成品环氧树脂模塑料、环氧树脂、液晶聚合物、氧化铍、氮化硼纳米管、氧化锌、固化剂、催化剂、抗氧化剂、阻燃剂、自修复剂。本发明还提供了封装结构的具体制备工艺。本发明通过优化封装工艺和封装结构以及封装材料，不仅简化了工艺流程，降低了生产成本，还大幅提升了封装结构的散热性能和可靠性，满足了高性能DRAM封装的需求。